Крупнейший субконтрактный деятель, тайваньская фирма tsmc, предложит
только один процесс изготовления с соблюдением 20-нм норм, тогда как ранее
фирма предлагала некоторое количество вариантов( к примеру, hp для
высокопроизводительных чипов или lp для энергоэффективных). Об этом во
время следующий технологической встречи tsmc произнес исправный
директор фирмы Санг-Ю Чианг( shang-yi chiang), который еще отметил,
что опосля 20-нм норм фирма может рекомендовать собственным покупателям 18-нм или
16-нм переходной техпроцесс, чтоб изготовить выгодным усвоение 14-нм норм.
Господин Чианг отмечает, что сначало фирма подразумевала
давать два 20-нм техпроцесса: высокопроизводительный и
энергоэффективный, оба с использованием железных затворов с высочайшей
диэлектрической проницаемостью( hkmg). Но опосля ряда шагов в этом
направленности в tsmc осмыслили, что заметной различия меж 2-мя 20-нм
техпроцессами нет по фактору такого, что расстояния меж веществами схем
чрезвычайно малы и приближаются к телесным пределам, так что практически не остаётся
способности для оптимизации дизайна с поддержкой разной длины
железных затворов и внесения остальных конфигураций.
Tsmc дает для 28-нм норм 4 техпроцесса: высокопроизводительный,
энергоэффективный, энергоэффективный с использованием hkmg и
высокопроизводительный для мобильных чипов. Tsmc ждет, что создание
на 20-нм техпроцессе hkmg начнётся уже в последующем году, а в 2015 году
фирма собирается приступить 14-нм создание с использованием транзисторов
finfet 3-d. Но для 14-нм норм станет нужно использованием литографии в
последнем ультрафиолетовом спектре( euv), а почти все колеблются, что она
подоспеет впору. В итоге tsmc может рекомендовать 18-нм или 16-нм
нормы. Tsmc чрезвычайно кропотливо разглядывает вероятность освоения данных
переходных норм, ибо в таком случае фирмы нужно давать их в
течении 10 лет.
Комментариев нет:
Отправить комментарий